%0 Journal Article
%A 张朝辉;杜永平;常秋英;雒建斌
%T 化学机械抛光中抛光垫作用分析
%D 2007
%R 
%J 星空电竞app2026最新版学报
%P 18-21
%V 31
%N 1
%X 化学机械抛光(chemical mechanical polishing/planarization,CMP)能够提供高级别的整体平面度和局部平面度而成为集成电路(integrated circuit,IC)中起重要作用的一门技术.抛光垫是CMP性能的主要影响因素.这里建立了一个初步的二维流动模型以考虑抛光垫的弹性、孔隙参数、粗糙度以及晶片形状等因素对抛光液流动性能的影响,并通过数值模拟得出了它们对压力分布和膜厚等的作用.结果表明:由于抛光垫的变形和多孔性,承载能力将有所下降,膜厚增大,从而有利于抛光液中
%U https://jdxb.bjtu.edu.cn/CN/abstract/article_1069.shtml